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缺陷能階與量子點之載子躍遷光電容產生機制 - 國立交通大學

由 蔡哲倫 著作 · 2012 — 第三章:基本電性量測,主要介紹三片樣品的基本性質如光學特性的PL、. TEM 結構形貌上的介紹和CV、DLTS 的電性量測初步分析,主. 要在探討尚未照光情形下的電性量測。 第四 ... ...(以下省略)

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