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CMOS淺溝槽隔離氧化層之高度差對元件特性之研究
本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體（MOSFET）淺溝槽隔離絕緣層（Shallow Trench Isolation，STI）與鄰近電晶體主動區的高度差（Step-height）對元件特性的影響。 ...（以下省略）
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本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體（MOSFET）淺溝槽隔離絕緣層（Shallow Trench Isolation，STI）與鄰近電晶體主動區的高度差（Step-height）對元件特性的影響。
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淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation, STI)是一種常用於半導體製程中的隔離技術，可以防止相鄰半導體元件之間的漏電流(leakage current)產生，還具有增加元件積集度( ...
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2014年12月19日 — STI = Shallow Trench Isolation. 顧名思義就是在CMOS上挖一條溝渠來做隔離，那是隔離什麼呢? 因為在CMOS上會有P+與N+結合起來的depletion ...
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淺矽溝槽製程(Shadow Trench Isolation Process)正是做為半導體製程中隔離電晶體開與關的功能,但是在製造過程當中遇到缺陷(Defect)便會影響到產品的穩定 ...
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淺矽溝槽製程(Shadow Trench Isolation Process)正是做為半導體製程中隔離電晶體開與關的功能,但是在製造過程當中遇到缺陷(Defect)便會影響到產品的穩定 ...
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由 嚴永民 著作 · 2011 — Shallow Trench Isolation (STI) techniques are essential for semiconductor device for reducing elec...
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由 黃國峰 著作 · 2012 — ... 製程研究. Study of Nano-scale Shallow Trench Isolation Planarization Process for Semiconductor Int...
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... (Trench Oxide Dishing)的製程瓶. 頸。 關鍵詞. 淺溝渠隔離技術(Shallow Trench Isolation; STI)；固定式砥粒研磨(Fixed Abrasive. Polishing)；化學機械研磨...
shallow trench isolation製程 參考影音
繼續努力蒐集當中...