光碟機使用到的頻率越來越低，輕薄型筆電也都捨棄了光碟機，因為太多作業可以被 USB 隨身碟所取代，不過該用什麼工具將系統安裝光碟轉成 USB 呢？這次要與大家分...
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功率MOS元件ESD保護電路設計
經由ESD測試結果顯示SCR 元件保護效果成績斐然，元件寬度W=100um之SCR能輕易承受超過8KV的正向ESD破壞，而負向ESD破壞亦高達5KV。 ...（以下省略）
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MOS设备通常对静电放电（ESD）比较敏感。应该如何保护MOSFET不受ESD的影响？ 在每个设备中都采用合理的ESD保护装置。 返回电机驱动IC相关FAQ. 在新窗口打开. To Search
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2021年12月14日 — 常用的ESD保护器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等，因其具有雪崩击穿、雪崩与注入等特性，能够瞬间进入低阻态，故具有良好的电流泄放能力， ...
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MOS devices are typically sensitive to electrostatic discharge (ESD). How should I protect MOSFETs against ESD? Proper E...
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經由ESD測試結果顯示SCR 元件保護效果成績斐然，元件寬度W=100um之SCR能輕易承受超過8KV的正向ESD破壞，而負向ESD破壞亦高達5KV。
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我們知道MOS管是一個ESD敏感器件，由於本身的高輸入電阻再加上柵-源極間的電容非常小，導致它極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，當靜電或外界電磁場作用於MOS管時，就會在極 ...
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... ESD電流很容易便經由. PAD傳導到MOS元件的LDD結構，一下子就因LDD做尖端. 放電而把MOS元件破壞掉，因此在0.35μm製程的MOS元. 件，其ESD防護能力更大幅度地下滑，畫製再 ...
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2022年8月8日 — 當柵源電壓高到跨過柵介質時，MOSFET發生ESD損壞。此時柵氧化層上的微孔被燒壞，器件永久性損壞。如同任何電容，必須給功率MOSFET的柵極充電以便達到特定的 ...
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2021年5月28日 — 其實MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，又因在靜電較強的場合難於泄放電荷， ...
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2021年3月30日 — 如同用於製造微處理器的MOSFET元件，功率MOSFET的閘極氧化層也非常容易因靜電放電（ESD，electrostatic discharge）而損壞。ESD可能造成閘極氧化物崩潰等嚴重 ...
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MOS ESD 參考影音
繼續努力蒐集當中...