LPCVD SiO2 相關文章
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由 AM Dutron 著作 · 1995 · 被引用 7 次 — Low pressure chemical vapor deposition RexSiyNz thin films are investigated as d...
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Oxydation sèche et oxydation humide ainsi que dépôt de couches de dioxyde de silicium (TEOS) par LPCVD dans nos fours.
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低真空化學氣相沉積(LPCVD ... 因此,該製成通常在半導體工業中製備薄膜,而所沉積的材料包誇:鑽石、矽、碳纖維、奈米線、奈米碳管、SiO2、鎢以及具有High-K特性的材料。
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由 K Watanabe 著作 · 1981 · 被引用 42 次 — In thick LPCVD SiO2 films on Si, surface rough- ness was observed after therma...
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(2)LOW Pressure CVD(LPCVD). LPCVD反應壓力約0.25~2torr,其反應. 溫度較APCVD高,反應速率與溫度有強烈之. 相關性。反應速率慢為主要缺點。在次微米製. 程中仍被應用於沈 ...
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本发明公开了一种张应力LPCVD SiO 2 膜的制造方法,包括:在衬底上采用LPCVD沉积应力为F1的压应力SiO 2 膜,F1<0;对压应力SiO 2 膜注入掺杂剂,在其表面形成重掺杂SiO 2 膜 ...
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2020年2月21日 — 通常认为LPCVD设备淀积速率控制在8~10 nm/min最为合适,在此速率下,淀积薄膜的致密性较好,生产效率也较高。如果淀积速率继续提高,淀积出来的SiO2薄膜就会变 ...
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The most simple way to produce silicon oxide layers on silicon is the oxidation of silicon by oxygen. This process is pe...
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20-60 pF, in a LPCVD SiO2 MOS structure. Electrical characterization of low-pressure chemical-vapor-deposited silicon di...
LPCVD SiO2 參考影音
繼續努力蒐集當中...