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2015年9月5日 — 近年來,半導體3D IC製程以及3D封裝廣泛的被很多國際研究機構與廠商重視,而在3D IC的技術中,矽導通孔(Through Silicon Via; TSV)、晶圓接合技術、晶 ...
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2010年10月12日 — ... Via, TSV)技術進行立體堆疊整合,以有效縮短金屬導線長度及連線電阻 ... 材料與設備在半導體技術發展的趨勢上,始終扮演著重要且關鍵的角色,其開發的 ...
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2024年1月23日 — 所謂的「TSV」,就是「Through Silicon Via」的英文縮寫。就字義上的翻譯來看,為「直通矽晶穿孔」,至於其定義於作用為何,則要從半導體的封裝技術開始說 ...
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TSV製程以目前開發的技術及製程的先後順序,可分為先鑽孔(Via First)與後鑽孔(Via Last);採用Via First製程均須在傳統後段封裝製程前進行導孔 ...
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2012年9月14日 — 為加速3D IC量產,半導體設備商除積極布局矽穿孔(TSV)製程外,亦加緊部署後段矽穿孔露出(Via-Reveal)技術,助力優化晶片堆疊組裝效率,目前包括應用材料( ...
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3D IC 以TSV 蝕刻製程順序為分界可以區分成先穿孔製程(via first)、中穿孔製. 程(via ... 半導體金屬化製程(metallization process). 的應用,因此可以加速三維積體電路的 ...
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矽穿孔(英語:Through Silicon Via, 常簡寫為TSV,也稱做矽通孔)是一種穿透矽晶圓或晶片的垂直互連。 TSV 是一種讓3D IC封裝遵循摩爾定律(Moore's Law)的互連 ...
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TSV為直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via)封裝技術, 是一種能讓3D封裝遵循摩爾 ... 而先鑽孔製程中,通道完成於任何半導體製程前,因此更有技術上的挑戰,其製程構造 ...
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2020年6月29日 — 矽穿孔(英語:Through Silicon Via, 常簡寫為TSV,也稱做矽穿孔)是一種穿透矽晶圓或晶片的垂直互連。 ... 此一技術能夠以更低的成本有效提高系統的整合度 ...
半導體via 參考影音
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